Информация

Для знакомства рекомендуем открыть раздел "Часто задаваемые вопросы", где Вы найдете информацию о порядке и условиях размещения заказа. Содержание разделов сайта можно найти на странице "Карта сайта".

 

Продукция и услуги

ChipFind - пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅ пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅ пїЅпїЅ пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅ пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅ
switch_en.png, 1 kB
Главная arrow ВЧ и СВЧ узлы arrow Синтезаторы частот arrow ENO-3G-10M-RF - 3.2 GHz Reference Frequency Source
ENO-3G-10M-RF - 3.2 GHz Reference Frequency Source Печать E-mail


Малошумящий источник опорной частоты 3,2 ГГц

Снят с производства, замена -  ENO-6G-10M-RF.

Высокочастотный малошумящий источник опорной частоты предназначен для формирования опорного сигнала для широкополосных перестраиваемых синтезаторов частот серии ENO. Источник основан на сложении частот нескольких кварцевых генераторов (см. 3.2 GHz Low-noise Reference Frequency Source). В качестве опорной частоты используется внутренний опорный генератор либо внешний сигнал в диапазоне от 1 до 250 МГц с шагом 1 МГц. Интерфейс управления СВЧ синтезатора — SPI. Отличительной особенностью данного источника являются низкий уровень фазового шума и возможность работы в широком температурном диапазоне.СВЧ-блок источника опорной частоты 3,2 ГГц, -152 дБн/Гц

Основные характеристики
  • Фазовый шум (нормированный к 1 ГГц): −162 дБн/Гц (при отстройке 10 кГц);
  • Выходная частота: 3,2 ГГц;
  • Диапазон частот внешнего опорного сигнала: 1 — 250 МГц с шагом 1 МГц; 
  • Уровень выходного сигнала:  +10 дБм.
Цены и наличие

Стоимость1, руб. (при кол-ве)

Кол-во на складе2

Сроки3

1

>1

поставки

изготовления

-

звоните

1

2 нед.

2–4 мес.

  1. Указана ориентировочная стоимость, цена договорная — звоните.
  2. Указано количество только отдельных изделий. Кроме этого возможно также наличие в составе других устройств, которые можно при необходимости разукомплектовать,— уточняйте по телефону.
  3. В графе сроки поставки указаны сроки, действующие при условии наличия изделий на складе, в противном случае действуют сроки изготовления.
Состав изделия

 № поз.

Компоненты

Кол-во

Описание

 1

 ENO-3G-10M-RF

1

Малошумящий источник опорной частоты 3,2 ГГц
Аксессуары

 № поз.

Компоненты

Кол-во

Описание

1

 RS2SPI-01M-PCB

1/0

Плата для управления ВЧ-блоками с интерфейсом SPI через COM-порт персонального компьютера

2

 RFCTL-10M-PCB

0/1

Плата для управления ВЧ-блоками с интерфейсом SPI через USB или COM-порт персонального компьютера

3

RF Debug Application

1

Программа для управления ВЧ-блоками через COM-порт персонального компьютера. Приложение имеет открытый код (TCL/Tk) и предназначено для освоения пользователем команд управления ВЧ-блоками для последующего интегрирования их в состав собственных изделий

Примечание: аксессуары не входят в состав изделия, их следует заказывать отдельно.

Документация

Файл

Тип

Описание

3.2 GHz Low-noise Reference Frequency Source

pdf

 Краткое описание

pdf

 3D-модель ВЧ-блока

pdf

 Сборочный чертеж

ref

Документация: руководство по программированию, спецификация интерфейсов, команд управления и т.д.

Зарегистрированным пользователям доступна дополнительная документация в соответствующем разделе. Для облегчения навигации можно воспользоваться поиском. 

Технические характеристики (Specification)
ParameterConditionsValueUnit
min

 nom.

max

Выход 3,2 ГГц

Частота   3200 МГц
Время прогрева   180 с
Мощность 

8

10

12

дБм 
Импеданс 

50

Ohm
КСВН   

2

 
Фазовый шум и чистота спектра
Фазовый шум (SSB) на частоте 3,2 ГГц на отстройке:10 Гц 

-76

 дБн/Гц
100 Гц 

-106

 дБн/Гц
1 кГц 

-139

 дБн/Гц
10 кГц 

-152

 дБн/Гц
100 кГц 

-153

 дБн/Гц
1 МГц 

-153

 дБн/Гц
Негармонические спектральные составляющие при отстройке FoffsetFoffset<5 кГц

-50-20lg(Foffset)

дБн
5 кГц<Foffset 

 -120

 дБн
Foffset кратно 100 МГц 

 -60

 дБн
Внутренний опорный генератор
Температурная стабильность-40..+50 ºC (base "M" version)  

±50

ppb
по запросу  

±1

ppb
Цифровая подстройка частоты 

 ±0,3 

 ±0,5

 ppm 
 Старение (после 30 дней работы) (base "M" version)
 в сутки  

 ±1

ppb
 за первый год  

 ±100

ppb
 по запросу
 в сутки  

 ±0,1

ppb
 за первый год  

±15

ppb
Девиация Аллана1 с

 5

 

30

·10-12
Вход внешней опорной частоты (REF In)
Частоташаг 1 МГц

1

 

250 

МГц
Уровень входного сигнала 

-10

 

+10

дБм 
Входной импеданс 

50

Ω
Точность по частоте   

±0,3

ppm
Выход опорной частоты (REF Out)
Форма сигнала 

меандр

 
Частота  

 10

 МГц
Размах сигнала на выходе 50 Ω load

 

 2,7

 Вп-п
 1 MΩ load 

 5

 Вп-п
Выходной импеданс 

 50

Ω
КСВН   

 1,5

 
Интерфейс управления (SPI, LVTTL 3.3V)
Vih 

2.0

 3,3

3,9

V
Vil 

-0.5

 0

0.8

V
Частота тактирования (SCK)   

20

МГц
Питание
Напряжение питания 

 9

 

12

В
Ток потребления после прогрева +9В, +25ºC 

 1,5

 A
Ток потребления во время прогрева +9В

 

 2,5

3,2

Внешние условия
 Рабочий диапазон температур(base "M" version)

 0

 

 +50

ºC
по запросу

-40

 

 +50

ºC
Габариты и масса
Длинабез учета SMA разъемов 

 186,6

 мм
Ширина  

 135

 мм
Высота  

 16,5

 мм
Масса  

 525

 г

Notes:

 

Малошумящий источник опорной частоты 3,2 ГГц, -152 dBc/Hz
ENO-3G-10M-RF (вид со стороны SPI разъема)
Малошумящий источник опорной частоты 3,2 ГГц, -152 дБн/Гц
ENO-3G-10M-RF (с открытой крышкой)

 

 

 

 

 

 

 

 

График фазового шума

 

Фазовый шум источника опорной частоты ENO-3G-10M-RF
Фазовый шум источника опорной частоты ENO-3G-10M-RF и синтезатора ENO-21M-RF, нормированный к 1ГГц

 
« Пред.   След. »
Advantex LLC, 2004-2024